RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
67
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
2042
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link