RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
67
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2042
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link