RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
83
Rund um 80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
1752
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link