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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
83
En 80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
83
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
1752
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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