RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
27
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3245
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link