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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
27
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
27
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
3245
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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