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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
33
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3341
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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