RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2601
3341
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF1G64HZ-1G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link