Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 33
    Intorno 12% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.5 left arrow 16.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.8 left arrow 12.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 19200
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.9 left arrow 18.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 13.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2601 left arrow 3341
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti