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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
36
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
2497
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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