RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3705
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link