RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
42
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2737
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link