RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
42
Autour de 10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
42
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2737
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link