RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
33
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
3082
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link