RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
65
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
8500
Rund um 3.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
10.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
25600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2789
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link