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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
6.1
16.7
写入速度,GB/s
4.2
10.6
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2789
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
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