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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
34
读取速度,GB/s
16.9
16.7
写入速度,GB/s
12.0
10.6
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2789
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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