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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
63
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
33
读取速度,GB/s
3,231.0
16.6
写入速度,GB/s
1,447.3
13.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3122
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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