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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
13.5
14.8
写入速度,GB/s
9.3
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3035
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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