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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
41
读取速度,GB/s
13.5
13.3
写入速度,GB/s
9.3
9.0
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2016
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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