Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB против Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 41
    Около 32% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.5 left arrow 13.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.3 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.5 left arrow 13.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.3 left arrow 9.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2278 left arrow 2016
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения