RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3810
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link