RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3810
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link