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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Compara
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2278
2016
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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