RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
64
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
2279
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link