RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2417
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link