Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Puntuación global
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    64 left arrow 68
    En 6% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,013.5 left arrow 1,869.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    64 left arrow 68
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,477.7 left arrow 4,402.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,869.1 left arrow 2,013.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    697 left arrow 701
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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