RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
41
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1578
2016
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link