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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Mushkin 992015 (997015) 4GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Mushkin 992015 (997015) 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 992015 (997015) 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
13.5
16.1
写入速度,GB/s
9.3
11.2
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2682
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
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