RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Gesamtnote
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
37
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
21.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1683
3778
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link