RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
61
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,568.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
24
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
3,422.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,568.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
514
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link