Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 61

Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.5 1,568.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 6400

Por volta de 3% maior largura de banda

Razões a considerar
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2925 514

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns