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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
61
周辺 61% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
1,568.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
61
読み出し速度、GB/s
16.0
3,422.5
書き込み速度、GB/秒
12.5
1,568.2
メモリ帯域幅、mbps
19200
6400
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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