Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 61
    Около 61% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 1,568.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 61
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 3,422.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 1,568.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 514
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения