RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link