RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3448
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link