RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link