RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link