RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link