RAM-Vergleich Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Gesamtnote

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 62

Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.4 7.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.7 11.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1683 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns