RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
18.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
4207
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link