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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
34
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2636
2962
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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