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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
40
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
40
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2205
1988
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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