SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

总分
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SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB

总分
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    13.9 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 40
    左右 -21% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.9 left arrow 8.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    40 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    13.9 left arrow 11.8
  • 写入速度,GB/s
    8.6 left arrow 8.9
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2205 left arrow 1988
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