Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

总分
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

总分
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    14.4 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 43
    左右 -30% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    43 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    14.4 left arrow 11.8
  • 写入速度,GB/s
    9.0 left arrow 8.9
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2422 left arrow 1988
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