Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Note globale
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.4 left arrow 11.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    33 left arrow 43
    Autour de -30% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    43 left arrow 33
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.4 left arrow 11.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2422 left arrow 1988
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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