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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2422
1988
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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