RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB против Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
11.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2422
1988
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link