RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3726
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link