RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3726
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link