RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3726
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link