Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

14.4 11.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 8.9

Średnia wartość w badaniach

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

33 43

Wokół strony -30% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns

43 33
Prędkość odczytu, GB/s

14.4 11.8
Prędkość zapisu, GB/s

9.0 8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 12800

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2422 1988

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB