Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.4 left arrow 11.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 43
    Rund um -30% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.4 left arrow 11.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 8.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2422 left arrow 1988
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