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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2422
1988
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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